半导体与导体的区别范文篇1

关键词：非晶态；阈值开关；电导率；半导体

中图分类号：TN401

文献标识码：B

文章编号：1004―373X(2008)04―184―02

非晶态半导体阈值开关器件是指往复开关多次不会破坏的器件。这种器件的I-V曲线如图1所示，当电压超过阈值Vci时，器件进行开关(Switch)。但在“关态”(OFFstate)与“开态”(ONstate)之间无稳定的操作点，电流降至维持电流IN以下，器件即转到原始状态。

一般观察的结果表明，非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因，多半是由于电极与半导体合金化，引起了大量的电子迁移，导致非晶态半导体分相或部分分相。所以多数器件失效的原因是由于性质变化，而不是彻底破坏，因而在探讨阈值开关机理以前，首先应肯定非晶态半导体材料在开关过程中没有发生性质变化，目前有关阈值开关的机理，有2类模型：一类是非均匀模型，即在两电极导电丝区域内，非晶态半导体薄膜发生结构变化；另一类是均匀模型，即假定开关过程中，非晶态半导体薄膜基本是均匀的非晶态。

1非均匀模型(HeterogeneousModel)

在两电极之间，由于强电流作用产生一条瞬间导电丝(filament)，导电丝结构与母体玻璃结构不同。X射线及电子显微镜鉴定结果表明，富Te硫系玻璃的导电丝区域，包含许多嵌入母体中微小树枝状的Te晶体，晶体的晶轴取向和电流的取向相同。Bosnell和Thomasc认为，在极快的开关过程中，由于导电丝的电场，以及因电阻产生的较高温度，使得具有方向性的Te晶体从玻璃母体中分离出来；在关态时，这些微晶体保持孤立状态，当晶体形成连续相、并具有较高的电导率时，即成为“开态”，伴随着非晶态半导体的析晶或部分析晶，导电丝区域的性质发生很大变化，因而器件的开关特性取决于导电丝的晶体形貌。然而，选择适宜的电极材料及非晶态半导体材料，也可以避免导电丝的分相及析晶过程，这种器件的首次开通电压和以后的阈值电压基本相同，凡是首次开通电压和以后的阈值电压相差小于10％的器件。他的寿命最长。

在室温条件下，若当电极面积与导电丝截面相差很大时，开关后导电丝组分有少量变化，“关态”时，电阻值显示不出什么区别。如果在低温条件下测量，开关后非晶态半导体组分的少量变化可以使“关态”电阻值差几个数量级。

2热和热电理论(ThermalandElectrothermalTheories)

具有负阻温度系数的材料，常由于焦耳热将材料内部的温度升高，因而电阻值降低，通过更多的电流，转而增加更多的焦耳热，使受热区域通过的电流增加，这样循环下去，直到产生的焦耳热与导电丝产生的焦耳热平衡。但是根据非晶态半导体的“开态”现象，“开态”时器件的电压与膜厚无关，电压降应该产生在电极处。然而按照热理论，电压降必须在与电极交接处的非晶态半导体冷层中产生，这样就和实验相矛盾。因而假定非晶态半导体的电导随着场强增加而增加，或引入空间电荷注入及隧道过程，以减少靠近电极非晶态半导体冷层的阻抗，使得非晶态半导体薄膜的击穿电压及“开态”阻抗大大降低，这就是在热机理中加入电子校正，称为电热理论(ElectrathermalTheo―ries)。这种理论和热机理的热阻理论不同，因为场致增强电导，不受非晶态半导体冷层的影响，甚至在完全散热的电极和较低的电压也能得到负阻温度系数区域。

非晶半导体的电导率随着电场强度呈指数关系上升趋势，图2所示为“关态”时，不同温度下场强与电导率的关系。高场强区域的电导可用表示为：

3电子理论

由于非晶态半导体在击穿以前场致电导骤增，可能是电子过程，如载流子雪崩、双注入或强电场隧道效应等导致击穿。特别是使用薄型非晶态半导体薄膜，或极易散热的电极结构时，由热或热击穿引起的导通态更不易发生，可是电子运动引起的开关过程，也必须形成电流通道，在通道中也将因焦耳热而引起温度上升，所以电子理论也必须包括由热导致的效应方能全面描述开关现象。

场致载流子从费米能级以下的占有态跃迁至费米能级以上的空态，可用费米能级分裂成两个准费米能级来表示如图3所示。伴随电场强度的增加，电导率以指数上升，这些多余的电流不能完全从电极补充，因而在阴极产生空间正电荷，在电极间建立电场。由于电极附近的场强增大，使注入的载流子更多，这是一个正反馈过程，速度很快，对应的场强使电极附近的势垒变陡、变薄。当注入的载流子数一定时，便达到稳定状态，相应于“开态”。这时空间电荷横贯整个器件，由于陷阱密度高，势垒薄，载流子很容易从金属的费米能级隧道进入导电丝的导带和价带，加之陷阱已被充满，迁移率不再受陷阱的限制，器件的导电率将很高，这就是通常的开关过程。

电子开关模型假定：

(1)由玻璃体对电场的依赖性或从电极注入电子来建立过多的电子或空穴；

(2)这些过多的电子或空穴开关后可被靠近电极的高电场所提供；

(3)这些使玻璃体呈现高电导的电子或空穴可用费米能级分裂成2个准费米能级来描述，一个是电子费米能级；另一个是空穴费米能级。

半导体与导体的区别范文篇2

随着2005年的结束，中国第10个五年规划(2000―2005年)也进入尾声，取而代之的十一五规划于10月正式出炉，并在3月的中国人大会议中列入讨论，关于半导体产业的优惠政策也已列入国务院2006年立法计划，未来中国半导体产业将如何发展，将值得大家仔细去观察分析。

回顾中国半导体产业发展历程

中国半导体产业起步甚早，早在50年代末期的二五计划时期(1958―1962年)中国政府就开始关注半导体技术。并首次将半导体技术纳入中国必须发展的新兴技术之一，但是由于当时的政策核心以发展航空工业及核工业为主，半导体产业只是点缀性质，因此没有实际的进展。在渡过了二五、三五及五五几个阶段后．中国政府开始正视半导体产业的重要性，并决定全力扶持．加快中国IC产业发展的脚步，因此自1981年开始中国半导体产业的发展历程可分为以下几个阶段。

(一)80年代(1981―1990年，六五及七五计划)

在此阶段中国政府开始正视半导体产业的发展，并在七五计划中提出IC产业的发展概念，为了落实七五计划，1986年中国国务院第122次常务会议决定对，C路等4种电子产品实行4项优惠措施．分别为：(1)以IC销售额10％为限额，提列资金用于技术与产品开发；(2)重大技术改造项目，经批准进口的设备、仪器、零件．免征进口关税；(3)企业免征产品增值税和减半征收企业所得税；(4)每年中国电子发展基金给予财政支持，用于支持集成电路等电子产品的开发和生产。

除实行4项优惠措施外，中国政府还开放自国外引进半导体设备外，并带进半导体先进技术、软件乃至外资及其管理方法．并陆续出现了华晶4英寸厂、上海先进、上海贝岭等半导体企业，正式启动了中国半导体产业。

(二)八五，九五计划(1991―2000年)的“908”“909”专项工程

在经过六五及七五计划的发展后，中国半导体产业陆续出现上海先进、上海贝岭等企业，在80年代末期中国政府再根据1989年计委会公布的“半导体发展战略”进行规划．订定出“908”专项工程。

“908”专项工程算是中国第一项，c发展工程，也是中国第一次有明确的IC产业政策及发展目标，目标是建立一条6英寸生产线．重点扶持中国现有的五大，C制造企业一上海先进、首网日电、上海贝岭、中国华晶及绍兴华越．并积极引进外来资金与技术来改善中国本土晶圆厂的生产实力，其中华晶即是自朗讯引进的0．9μm6英寸晶圆生产线。根据中国政府的规划，是期望透过“908”专项工程来改善中国IC产业结构，由过去的IDM模式，向垂直专业分工模式转变。

虽然中国政府在八五计划中推出“908”专项工程，并建立了一条6英寸生产线及五大汇制造企业，但中国IC产业的发展依旧严重落后于国外；有鉴于此，1995年11月中国原电子部向国务院提交了《关于九五期间加快中国集成电路产业发展的报告》，并在中央政府的支持下，1996年3月业界俗称的“909”工程正式成立。

“909”工程总投资40亿人民币(1996年国务院决定由中央财政再增加拨款1亿美元)，由国务院和上海市财政按6：4出资拨款；除延续过去对IC产业发展的支持外，更以建设大规模集成电路芯片生产线的主要发展标的．主要是规划从事代工的8英寸晶圆厂，及与此8英寸厂配套的IC设计公司与晶圆材料生产线。

在“909”工程中．首先于1996年由上海华虹微电子，与日本NEC公司合资成立上海华虹NEC．并陆续成立一系列基于此的产业链上下游公司，包括上海虹日国际、上海华虹国际、北京华虹集成电路设计公司等。而华虹NEC也克服了华晶?年漫长建厂的悲剧．于1997年7月31日开工动土，1999年2月完工并开始投产，2000年营收达30.15亿元人民币，并顺利获利5．16亿元人民币，虽然来年就出现13.84亿元的亏损，但以当时九五计划来看，华虹NEC仍是成功的发展项目。

(三)十五计划(2001―2005年)

虽然中国过去的经济成长速度惊人，但在被称为“工业之米”的半导体发展上，却显得十分落后，除在晶圆厂方面多半是5英寸及6英寸厂为主外，其国内所产制的芯片仅能供应国内所需的7．5％，显示中国半导体技术与国际水准的落差相当的大；为此中国政府针对半导体产业，在十五计划做了更详尽的规划。

在十五计划期间，中国半导体产业的发展方针是从IC设计业切入，并以，C制造业作为发展重点，继而带动封测。支持产业的发展；在产业布局方面，则期望完成长江三角洲、京津环渤海地区及珠江三角洲三大重点发展区域，并支持西部地区发展封装产业；至于重点扶持产品则选择量大面广的产品，其中首要发展的IC卡、通信IC、数字影音视频IC等。

另外中国政府亦颁布了“18号文件”，从税收．投融资、进出口、人才等方面提供优惠措施，成为中国第一个关于发展IC产业的综合性文件；并给予租税的优惠(在附加价值税17％中．IC设计给予14％的减免．其它IC厂商则减免11％)外，也提供半导体厂商相当良好的环境，以吸引国际大厂进驻。

在中国政府大力的推广下，中国大陆地区IC产业在十五期间出现了，无论在设计及制造方面，都有较过去5.6倍甚至10倍以上的成长，在晶圆代工方面更创造出中芯国际。华虹NEC、和舰等世界级厂商，并成为仅次于台湾地区的全球第二大晶圆代工市场；而中国也在2005年顺利超越美国及日本．成为全球第一大的区域性半导体市场。针对如此重要的十五计划，在下一段将针对其发展策略、目标。方向及成效做更详尽的说明。

“十五计划”的具体成效

十五计划算是中国半导体产业发展以来推动的最成功的一项计划，在计划结束的2005年，中国已跃升为全球最大区域性半导体市场，整体市场规模为4．534．8亿元人民币，较2004年成长28．4％，优于全球半导体市场的6．8％成长率，其中，C市场规模达3，803．7亿元人民币，较2004年成长30．8％，占整体半导体市场比重在83．9％以上。

在产量的表现上，2005年中国IC产量为265．78亿块，成长25．68％，销售额超过800亿元人民币，完全达成十五计划的发展目标。至于在IC产值方面，2005年中国，c产值达到702．1亿元人民币，成长28．8％，自2001―2005年的5年间，中国IC产量及产值年均成长都超过30％；不过值得注意的是，虽然中国已成为全球最大的区域性半导体市场，但大部份仰赖的是进口，比重超过80％，中国本土IC产量及营收仍旧偏低。

而在中国IC产业结构方面，IC设计业扮演的角色快速提升，占IC总产值比重也逐年增加，2002年时比重仅有8％，至2004年已提升至14.9％．2005年更达到17．7％：IC制造业则受到全球Foundry市场低迷及芯片代工价格持续下滑的冲击．加上2005年新产能扩张的贡献度大幅减弱，影响中国本土IC制造业厂商的表现，成长率自2004年的190％大幅下滑至仅成长28，5％，为232．9亿元人民币，不过在市场比重方面，则顺利突破3成至33．2％。

至于过去执掌中国本土IC市场牛耳的IC封测产业，2005年依旧维持稳定的成长表现，营收为344．9亿元人民币，较2004年成长22．1％．但其占中国本土IC市场比重仅491％，首次跌破5成。

IC设计

中国IC设计业近三年来的产值表现非常惊人，受惠于中国本土IC设计业者在产品创新上取得了重大进展，如重邮信科成功开发出中国第一颗0．13微米制程的TD-SCDMA芯片“通信一号”、凯明推出采90纳米制程的第二代TD-SCDMA／GSM双模芯片“火星”，加上新崛起业者如珠海炬力、中星微电子顺利至美国IPO上市，带动2005年中国IC设计产业营收首次突破百亿元大关，达到124．3亿元人民币，较2004年成长52．5％，更自自2002年的21.6亿元人民币．成长6倍以上，2002年至2005年的年均成长率更高达79．2％，其占整体市场比重也成长至17．7％。

中国政府于2000年―2002年间陆续成立了7个部级设计产业基地，分别为上海、北京、无锡，杭州、深圳、西安及成都，近年来在中央及地方政府的大力推广下，已逐步形成几个主要的产业聚落，其中主要集中在以上海为中心的长三角地区。及北京为中心的京津环渤海湾地区，前者囊括了中国近5成的，C设计业者，后者则拥有近120家IC设计业者，除了这两个区域外．深圳则是中国最大的，C设计城市，已连续几年在产值上遥遥领先其它地区。

目前中国IC设计企业数约479家，较2004年的421家又增加了50几家，而50人以下的中小企业仍占大部份，比重超过6成，其中员工人数在20人以下的企业数有171家．比重约35．7％，而员工人数超过百人的企业家数则不到50家．比重仅9．4％，显示出中国IC设计企业的规模仍小。在设计能力上中国IC设计业者也大幅提升，目前已有超过5成的业者平均设计能力在0．18μm(含)以下．其中大部份业者的平均设计能力已达到0．18μm，比重约41．2％，其次则为0．25μm级，比重约21．4％；值得注意的是，具备0．13μm及以下设计能力业者比重已突破1成．约为10．5％，较2004年的6％大幅成长。

至于厂商排名方面，2005年中国前十大IC设计业者排名有了与过去不同的变化，最受人瞩目的是海归派企业的崛起，其中在2003年及2004年位居排行榜前两大的大唐微电子及杭州士兰微电子．2005年排名跌落到第四及五名，取而代之的是珠海炬力集成电路及北京中星微电子，这两家业者在2004年崛起，当年度营收成长率分别为900％及162％，2005年更以12．57亿元人民币及7．68亿元人民币荣登中国前两大IC设计业者宝座，出乎各界的意外。

重要的是，2005年中国IC设计中营收超过亿元人民币的企业家数已超过20家．为九五计划结束时的5倍之多，其中新龙头老大一珠海炬力，其2005年营收更突破10亿元大关，来到12．57亿元人民币．成为中国第一家营收突破亿美元关卡的企业；而珠海炬力及中星微电子于2005年11月相继赴美IPO上市，也为中国lC设计产业发展奠定了新的里程碑。

IC制造

自2002年以来，随着中芯国际、宏力半导体、和舰科技、上海先进等数个8英寸晶圆生产线的陆续建成投产，中国lC制造业快速的扩大，特别是在2004年．在全球IC市场产能吃紧的情况下，中国务晶圆生产线的产能利用率始终处于90％以上的高水平，代工价格也随之攀升。在这些因素的带动下，2004年中国IC制造产值成长率高达190％，为历年之最。

进入2005年，受到全球Foundry市场低迷的影响，中国IC制造企业产值成长率大幅回落，部份企业甚至出现负成长；与此同时，2000年以来的新建项目在2004年均已建成投产，2005年产能扩张对晶圆制造业规模成长的贡献度大大降低；2005年中国IC制造业产值成长率虽仅28．5％，但却顺利突破200亿元关卡，达到232．89亿元人民币。

在晶圆厂及制程技术的发展上，至2005年底中国共有15座4英寸厂、8座5英寸厂、17座6英寸厂、15座8英寸厂及2座12英寸厂．其中8英寸厂以中芯国际为主，其它如华虹NEC、上海先进、宏力半导体、和舰科技都各自拥有8英寸厂；至于12英寸厂则是中芯国际于北京投资的Fab4及Fab5，其中Fab4已于2004年投片，至2005年底月产能已达2．7万片，制程技术也达到0．11μm。

值得注意的是，2004年中国大陆晶圆代工产业营收达19．25亿美元规模，较2003年成长155．6％，占全球比重由2003年的6．57％、大幅跃升到11．53％．成为仅次于台湾地区120．22亿美元的第二大晶圆代工市场；2005年营收再提升至24亿美元，占全球比重也提升至13％。更重要的是，中芯国际成功挤下新加坡的特许半导体，以市占率7％跃居全球晶圆代工排名第三位，而中国晶圆代工厂商在全球20大中也共有5家企业入榜。

IC封测

与IC设计及IC制造业的高速发展相比，中国IC封测产业在近几年一直呈现稳定成长的态势，2005年新建项目建成投产的带动下成长率微幅上涨，2005年产值超过300亿元，达344．91亿元人民币，较2004年成长22．1％。

目前中国IC封装企业结构呈现明显的内外资差别，前10大企业中仅江苏长电一家本土企业入榜．不过年封装能力过亿块的企业已有9家，其中江苏长电年封装能力已达到20亿块以上；在技术方面，主要仍以低阶的DIP、QFP、SOP等传统封装形为主，不过江苏长电已开始朝CSP等级迈进。

分析中国半导体快速成长的原因产业优惠政策的支持

中国政府自1990年代的“908”及“909工程”开始，就将IC订定为国家发展的重点产业，不惜投入庞大的资金进行支持；到了十五时期，更是大力的发展汇产业，包括“18号文件”颁布就给予IC企业相当大的政策及税赋优惠。

国内市场需求持续成长

近年来NB、数字相机、PC、LCD显示器等信息产品厂房陆续大规模的向中国转移，中国已成为全球最大的信息产品生产基地，根据商务部数据，2005年中国计算机类产品出口额首次突破千亿大关，达1，048．4亿美元，占全国外贸出口总额比重也自十五计划之初2001年的7．9％提高到13．7％，预期未来中国信息产品的产量仍将大幅成长，加上消费电子及通信产品市场的持续扩大，可望带动中国国内IC产品需求持续成长。

产品设计能力大幅提升

过去中国半导体产业给人的印象普遍是技术实力的不足，此一情况在近年已有所改善。自2005年以来中国IC设计在产品创新上就取得了多项进展，包括重邮信科开发出中国第一颗0．13μm制程技术的TD-SCDMA手机核心芯片一一“通信一号”；凯明信息则推出采用90μm技术的第二代TD-SCDMA／GSM／GPRS双模及多媒体应用芯片――“火星”；青岛海信开发出中国第一款具自主知识产权的数字音视频芯片――“信芯”；中科技计算所开发出中国第一款AVS芯片――“凤芯1&2号”等，这些都显示出中国在3G通信、数字音频芯片等产品的设计能力已大幅提升。

国际半导体大厂到华投资热潮不断

随着近年来中国市场的陆续开放，其低廉劳力成本、地方政府优惠及庞大后盾市场等诱因吸引着国际大厂前往投资，并于当地设立研发中心、晶圆厂或封装厂房等，其中尤以封装测试厂为甚。以近两年的投资为例．AMD就投资1亿美元于苏州设立微处理器封装测试厂，并于2005年顺利投产；Intel于2003年宣布的成都封装厂一期工程也于2005年12月落成启用．将主要负责其自家产品P4CPU的覆晶封测，第二期投资备忘录也已在2005年3月签订，预计于2007年投产，合计投资额4．5亿美元；至于早在深圳布局的STMicro，2006年2月亦宣布投入5亿美元．在深圳龙岗宝龙工业区兴建新的IC封测厂．有别于之前合资的深圳赛意法微电子．此为STMicro完全独资，计划年内动工，建成后年产量70亿块。

除了IC封测领域外，在IC制造方面也受到国际大厂的厚爱，其中由韩国Hynix与STMicro合作的无锡8英寸晶圆厂项目，已于2005年9月顺利获得中国工商银行7．5亿美元银行联贷．预计2006年第一季试产，第二季开始量产，初期月产能1．8万片，产品以DRAM为主：另外美国0C制造商AERO科技也在2006年2月与中国合肥高新区签订协议，将在合肥投资10亿美元分三期建设6英寸及8英寸晶圆生产线，月产能分别为4万片。

产学合作及人才培养成效浮现

由于半导体产业是知识密集型的高技术产业，相对的对于高水平技术人才的需求非常大，之前中国半导体产业普遍面临人才匮乏的问题，仅能从其它或台资企业挖角，不过近年来此情况已有所改变。2003年中国国务院科技领导小组推行了“国家集成电路人才培养基地计划”，并批准9所大学为首批人才培养基地，2004年8月再批准6所高校的加入，国家集成电路人才培养基地初步形成，目标是在6―8年内培养出4万名IC设计人才及1万名相关制造技术人才，目前此效益已慢慢浮现。

十一五规划的半导体政策及发展目标

随着18号文件的取消及十一五计划的。有关半导体优惠政策已列入国务院2006年立法计划，并将在人大会议中讨论，其中扶持本土大企业、提高自主研发创新实力为首要目标，另外并将投资3．000亿元人民币在，C设计及制造产业上，持续重点发展设计及制造(晶圆代工)产业，其中，c设计将重点发展5家30～50亿元级企业及10家10～30亿元级厂商，制造方面则全力布建10座8英寸晶圆厂及5座12英寸晶圆厂。

另外在租税优惠方面也将有所著墨，除地方政府外，未来重点方向将放在所得税的优惠上，将原来的两免三减半提高为五免五减半(五年免税五年收一半税)或十年全免，虽然短期内其效应并无法显现，但却有利于国内外资本投入中国半导体产业。

另外就在中。美双方因18号文件中增值税问题签署谅解备忘录，由中国财政部、国家发改委及信息产业部共同制订的《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂定办法》正式出炉，其中成立了一近30亿元人民币的研发基金．并决定自4月23日开始实施，此基金的相关内容如下：

成立宗旨：提高中国半导体研发能力及产业化水平。以加快技术创新及产品开发实力，并促进产学研合作。培养及奖励半导体产业的优秀人才。

申报条件：根据此一基金的规定。只要在中国境内注册，具有独立法人资格。经主管单位认定的半导体企业，并有符合申报指南要求的研发活动方案，具备所申报研发活动的能力、内部管理及财务制度健全皆可提出申请。

基金发放方式；将以无偿资助方式发放，其资助金额不超过该研发活动成本的50％。

值得注意的是，此半导体研发基金并不局限于半导体专用仪器。设备费及材料费上，只要是能提高研发能力的半导体相关方案，即便是人才的培养、引进及奖励等人事费也在补助范围之内。至于企业是否合格的认定工作将于发改委及信息产业部共同分担：其中发改委负责IC制造及封测业，信息产业部则负责IC设计企业，至于财政部则对发放基金的总量进行控制。

结语：十一五期间中国IC市场年复合成长率在2成以上

半导体与导体的区别范文篇3

示范工程应用计划与实施情况

截止2010年7月份,市绿化管理处、地铁办、曲江新区、高新区、航天基地等部门和单位上报计划实施和已经实施的示范工程项目,其中LED路灯5327盏,LED景观灯51041盏,室内照明10541盏,灯带7000多米。另外,西飞集团、陕汽集团、比亚迪等企业上报车间厂房用灯20000多盏。

西安市绿地广场照明工程

2009年至2011年,西安市绿化养护管理处计划将在七个路段实施LED绿地点亮工程,共计用灯2920盏。

曲江新区LED照明示范应用工程

曲江新区针对区内道路、大唐芙蓉园、城墙景区、大明宫公园的不同特点,分别做出规划,分步实施。2010年至2011年,区内道路应用LED路灯1730盏;大唐芙蓉园景观灯具合计1678盏,路灯310盏;城墙管委会对城墙一周5984个跺墙上原有的霓虹灯管进行更换,长度约30000米,共计3万盏;大明宫公园应用景观照明灯具共7680盏,LED灯带7670米。

西安地铁LED照明示范应用工程

地铁二号线计划在大明宫西、龙首原两站和大明宫西至龙首区间安装LED照明灯具1441盏,其中站内照明1199盏,隧道照明242盏。在地铁一号线计划使用4500盏站内照明,600盏隧道照明。2015年完工的三号线建设中将全面推广LED照明。

航天基地LED照明示范应用工程

航天基地目前已经完成LED路灯776盏,景观灯592,共计投资2407万元;2010年,计划投资2700万元,在飞天路、航天三路、航天四路、工业一路、工业二路等应用LED路灯887盏,景观灯176盏;2011年,计划在神舟三路、神州四路、神舟六路、神舟大道等应用LED路灯1204盏,景观灯280盏,预计投资费用4518万元。

高新区LED照明示范应用工程

2010年,高新区计划在科创路、高新一路、高新二路、高新三路、光华路等19条道路安装LED路灯2507盏,目前已经完工293盏,正在建设679盏,年底前完工1478盏。

下一步重点工作

确保试点工作任务保质保量完成

在下一步工作中,领导小组办公室将加强与各相关部门沟通和协调,了解示范工程进展情况,同时加强政府与企业之间的沟通,通过工程促进企业的成长,通过产品的应用提高企业的生产研发能力,为示范工程项目提供保质保量的半导体照明灯具,以确保试点工作任务保质保量完成。

突出打造西安市半导体照明示范工程特色

在项目的建设过程中,充分发挥西安自身资源,与西安市实际情况相结合,打造具有西安特色的示范工程。对于凸显我市旅游城市形象的世园会、大明宫公园、城墙景区等旅游景区和城市绿地广场的LED应用示范应该加大应用力度,同时,与我市目前发展迅速的物联网等概念融合,打造智能管控道路照明示范。

完善产业链条,促进集群化发展

在促进应用的同时,领导小组办公室以陕西国家大功率半导体照明产业基地以及西安半导体产业园、经开区半导体照明示范区为中心,以大功率LED封装为基础,带动上游高亮度管芯制造、下游大功率LED照明产品应用和MOCVD设备的研发生产,打造从组件生产、产品检测认证、出口、市场应用到物流配送为一体的光伏产业聚集区。

鼓励发展合同能源管理模式(EMC)